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Infineon BSO200P03IC，現(xiàn)貨供應(yīng)BSO200P03接受批量訂貨

  • Infineon BSO200P03IC，現(xiàn)貨供應(yīng)BSO200P03接受批量訂貨
  • 產(chǎn)品價格：電話聯(lián)系
  • 廠家：Infineon
  • 批號：1213+
  • 數(shù)量：12000
產(chǎn)品屬性

BSO200P03參數(shù)：

 

類別 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C 7.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫歐 @ 9.1A, 10V
Id 時的 Vgs(th)（最大） 1.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs 54nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds 2330pF @ 25V
功率 - 最大 1.56W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154", 3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝 PG-DSO-8
包裝 帶卷 (TR)

 

　　MOSFET與IGBT的對比

　　MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。特點：擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A.由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz.

 

　　我公司專業(yè)為生產(chǎn)企業(yè)提供全面周到的配套采購服務(wù)，主要內(nèi)容包括：MCU、FLASH Memory、EEPROM、RS-232/485接口電路、RFIC、SRAM、DRAM、POWER、電源管理IC、放大器、顯示驅(qū)動、音響及功放IC、遙控IC、光電耦合器、三端穩(wěn)壓、可控硅等。

　　聯(lián) 系 人： 王先生/陳小姐/趙小姐/崔小姐/馮小姐/楊先生

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