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FDB3652分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品原裝熱賣,專銷Fairchild Semiconductor FDB3652分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

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  • 產(chǎn)品價(jià)格:電話咨詢
  • 交易說(shuō)明:原裝,現(xiàn)貨!"
  • 廠家:Fairchild Semiconductor
  • 批號(hào):2010+
  • 數(shù)量:15000
產(chǎn)品屬性
描述MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
RoHS無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝800
類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭FET - 單
系列PowerTrench®
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C61A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫歐 @ 61A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs53nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds2880pF @ 25V
功率 - 最大150W
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-263AB
包裝帶卷 (TR)
其它名稱FDB3652-NDFDB3652TR

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