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Vishay Siliconix IRFD010分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品，現(xiàn)貨供應(yīng)IRFD010接受批量訂貨
- 產(chǎn)品價格：電話咨詢
- 交易說明：原裝
- 廠家：Vishay Siliconix
- 數(shù)量：0
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP |
| RoHS | 含鉛 / 不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) | 50V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C | 1.7A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 200 毫歐 @ 860mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包裝 | 管件 |
| 其它名稱 | *IRFD010 |
-
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