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- 廠家：Fairchild Semiconductor
- 批號：2010+
- 數(shù)量：15000
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC |
| RoHS | 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C | 21A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.5 毫歐 @ 21A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs | 73nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds | 5521pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 | 8-SOIC |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱 | FDS6162N3TRFDS6162N3_NLFDS6162N3_NLTRFDS6162N3_NLTR-ND |
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