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- 產(chǎn)品價格:電話咨詢
- 交易說明:現(xiàn)貨庫存熱賣
- 廠家:Vishay Siliconix
- 批號:TO-263
- 數(shù)量:38000
描述 | MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK |
RoHS | 含鉛 / 不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 |
數(shù)據(jù)列表 | IRFBF20S,L |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
類別 | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) | 900V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C | 1.7A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 8 歐姆 @ 1A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 | D2PAK |
包裝 | 管件 |
其它名稱 | *IRFBF20S |
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