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Vishay Siliconix IRFIBC20G分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品,現(xiàn)貨供應(yīng)IRFIBC20G接受批量訂貨

  • Vishay Siliconix IRFIBC20G分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品,現(xiàn)貨供應(yīng)IRFIBC20G接受批量訂貨
  • 產(chǎn)品價格:電話咨詢
  • 交易說明:現(xiàn)貨庫存熱賣
  • 廠家:Vishay Siliconix
  • 批號:TO-220
  • 數(shù)量:39000
產(chǎn)品屬性
描述MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP
RoHS含鉛 / 不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
數(shù)據(jù)列表IRFIBC20G
標(biāo)準包裝1,000
類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭FET - 單
系列HEXFET®
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點標(biāo)準型
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 歐姆 @ 1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
功率 - 最大30W
安裝類型通孔
封裝/外殼TO-220-3 全封裝,隔離接片
供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220-3
包裝管件
其它名稱*IRFIBC20G

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