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供應(yīng)BSZ165N04NS G分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品,Infineon Technologies品牌分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品BSZ165N04NS G 原裝現(xiàn)貨

  • 供應(yīng)BSZ165N04NS G分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品,Infineon Technologies品牌分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品BSZ165N04NS G 原裝現(xiàn)貨
  • 產(chǎn)品價(jià)格:電話咨詢
  • 交易說(shuō)明:原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫(kù)存
  • 廠家:Infineon Technologies
  • 批號(hào):TDS0N-8
  • 數(shù)量:52
產(chǎn)品屬性
描述MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
RoHS無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
數(shù)據(jù)列表BSZ165N04NSG
標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭FET - 單
系列OptiMOS™
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C31A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 10µA
閘電荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds840pF @ 20V
功率 - 最大25W
安裝類(lèi)型表面貼裝
封裝/外殼8-TSDSON
供應(yīng)商設(shè)備封裝-
包裝帶卷 (TR)
其它名稱BSZ165N04NSGBSZ165N04NSGINTRBSZ165N04NSGXTSP000391523

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