IDT70V05S25PFI原裝IDT高速3.3V8K×8雙端口靜態(tài)RAM - 集成設(shè)備技術(shù)現(xiàn)貨供應(yīng)，環(huán)�，F(xiàn)貨IDT70V05S25PFI價(jià)格優(yōu)惠

IDT70V05S25PFI  產(chǎn)品描述

高速3.3V8K×8雙端口靜態(tài)RAM - 集成設(shè)備技術(shù)

真正的雙端口存儲(chǔ)單元，可同步
讀取相同的內(nèi)存位置
高速接入
 商業(yè)：15/20/25/35/55ns（最大值）
 工業(yè)：20/25/35/55ns（最大值）
低功率運(yùn)行
 IDT70V05S
活動(dòng)：400MW（典型值）
待機(jī)：3.3mW（典型值）
 IDT70V05L
活動(dòng)：380mW（典型值）
待機(jī)：660μW（典型值）
 IDT70V05輕松擴(kuò)展數(shù)據(jù)總線寬度為16位或以上
使用主/從選擇級(jí)聯(lián)時(shí)多一臺(tái)設(shè)備的M / S = VIH電BUSY輸出標(biāo)志碩士
的M / S =從站忙輸入的VIL
中斷標(biāo)志
片上的端口仲裁邏輯
全片上硬件支持旗語(yǔ)信號(hào)
港口之間
從任何一個(gè)端口完全異步操作
 TTL兼容的，單一的3.3V（±0.3V）電源
可在68針的PGA和PLCC封裝和64引腳TQFP
工業(yè)溫度范圍（-40℃至+85°C）是可
對(duì)選定的速度
IDT70V05是一個(gè)高速8K×8雙端口靜態(tài)RAM。 “
IDT70V05被設(shè)計(jì)為一個(gè)獨(dú)立的單獨(dú)的64K位雙端口使用
SRAM或16 BITOR相結(jié)合的主/從雙端口SRAM
更多的字系統(tǒng)。使用IDT的主/從雙端口SRAM
方法在16位或更寬的內(nèi)存系統(tǒng)應(yīng)用在全速的結(jié)果，
無(wú)差錯(cuò)操作，而不需要額外的分立邏輯。
該器件提供兩個(gè)單獨(dú)控制的獨(dú)立端口，
允許獨(dú)立的，異步訪問(wèn)的地址和I / O引腳
讀取或?qū)懭氲絻?nèi)存中的任何位置。自動(dòng)斷電
通過(guò)CE控制功能允許每個(gè)端口的片上電路進(jìn)入
一個(gè)非常低的待機(jī)功耗模式。
采用IDT的高性能CMOS技術(shù)，這些
設(shè)備通常只有400mW的功率。
IDT70V05 68針陶瓷PGA和PLCC封裝在
和64引腳薄型四方扁平封裝（TQFP）。
注意事項(xiàng)：
1。所有VCC引腳必須連接到電源。
2。所有GND引腳必須連接到地面的供應(yīng)。